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목차
웨이퍼 범핑 공정 개발하기
재배열 (RDL, Re-Distribution Layer)
알루미늄 패드의 위치를 임의로 변경하는 것을 총칭
웨이퍼 레벨 패키지 (WLP)
- 웨이퍼 안 짜르고 그냥 패키지
재부동태화 (Re-Passivation)
- I/O 패시베이션 개구가 표준 플립 칩 범프에 비해 작거나 너무 크게 되는 문제에 대해 보정
UBM (Under Bump Metalization) 형성
- 칩 패드와 솔더 범프 사이에서 UBM 층 형성이 필수적으로 요구 (barrier metal)
솔더 볼(범프) 형성
기판과 패드를 전기적으로 연결
- 플립 칩 설계 고려사항 (칩을 뒤집는다)
1. 신호선 폭과 간격 미세화, 기판의 층수의 최소화
2. 블라인드 및 매몰 비아/비아 드릴 기술
3. 코어 비아 한계치
종류 –용융 유무에 따라
1. 솔더계 범프 – 금속이 용융되어 표면 장력의 최소화 효과로 자체 정렬되면서 접합
2. 고융점 범프 – 범프가 용융되지 않고 고상 상태를 유지하는 것 / 열 압착이나 이방성 도전 접착제를 이용하여 접착
솔더 범프의 공정 조건 – 솔더 범프는 조성의 균일도와 구형 범프로 만들기 위해 리플로우 공정을 거친다. (리플로우 하면 동그랗게 된다. 솔더 합금 : 납/주석 성분)
패키지 후공정 개발하기 (molding 부터 해당)
에폭시 = 수지 = EMC
몰드 공정
- 제품을 먼지, 습기, 충격 등 외부 환경으로부터 물리, 화학, 전기적으로 보호하기 위하여 열경화성 수지(열 가하면 굳게 되는거)인 EMC 를 이용하여 밀봉하는 공정
몰딩 성형 방식의 종류
- 이동형 몰딩
- 압축형 몰딩
- 진공형 몰딩
- 캐스팅 몰딩
- 글럽 탑 몰딩
EMC 요구 항목
잘 성형이 되어야하고 습, 열에 강해야한다.
EMC 성분
레진, 경화제, 큐어링제 등..
몰딩의 조건
1. 온도 – 일반적으로 170도 정도
2. 압력
3. 시간
4. 램 속도
5. 램 압력
PMC (Post Mold Cure)
몰딩 완료 후에 베이킹 하는 것
도금
- 도금 공정은 리드 프레임을 사용한 패키지에서 몰딩이 형성되지 않은 리드 부분에 금속 피막을 만드는 공정
도금 목적
1. 산화 및 변색으로부터 보호
2. 납땜이 잘 되도록
3. 전기적인 특성을 양호하게 하여 신뢰도 향상
도금 공정 순서
1. 용융 도금
2. 전기 도금
도금 방법의 종류
1. 솔더링
2. 전기 도금 – 도금 재료 (Sn)을 양극(애노드)에 연결하고 음극(캐소드)에 도금하려는 재료를 연결
트림 앤 폼
- 트림 - 댐버를 절단시켜 제거하는 공정
- 포밍공정 - 트림 공정이 끝난 제품이 도금된 후에 기판에 실장이 되어 독립된 전기적 특성을 갖도록 리드의 모양을 성형하는 공정
- 리드 프레임의 댐버는 몰딩 성형할 때 EMC가 겔 상태에서 아웃 리드로 새어 나오지 못하도록 댐 역할을 한다.
- 트림 -> 도금 -> 폼 순서
SBM (solder ball mount)
- Substrate 기반의 PKG 에서 몰딩 공정이 완료된 후에 PCB에 솔더 볼을 접합하여 전기적으로 연결시켜 주는데 이를 SBM 공정이라 함
리플로우 공정
- 솔더 볼을 PCB 위에 부착하기 위해 고온을 가하여 솔더 볼과 PCB사이에 있는 솔더를 용융시켜 접합하는 공정
- 리플로우 온도 곡선 중 드웰 구간 – 솔더링의 양/불량 기준이 되는 구간
마킹 (Marking)
- 반도체 패키지에 잉크나 레이저로 인쇄
소잉 싱귤레이션
- 기판 상태로 진행된 strip 자재를 잘라 유닛을 개별화 하는 것
튜브 & 트레이
- 여러 개의 유닛이 개별화되어 튜브나 트레이에 적재
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